思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導(dǎo)體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導(dǎo)體等諸多高精尖領(lǐng)域。
思銳智能離子注入機(jī)（IMP）模型
根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)28.3%。中國(guó)對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)技術(shù)表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的需求和消費(fèi)能力。
縱觀全局，離子注入已成為半導(dǎo)體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基礎(chǔ)的制備工藝之一。2000-2023年中國(guó)大陸IC晶圓制造產(chǎn)能從占據(jù)全球2%增長(zhǎng)到20%，未來(lái)中國(guó)產(chǎn)能持續(xù)迎接快速增長(zhǎng)期，年均增長(zhǎng)預(yù)計(jì)超10%。新一代集成電路制造技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)推進(jìn)，國(guó)產(chǎn)化離子注入機(jī)的市場(chǎng)應(yīng)用前景正在快速展開，這也是思銳智能重點(diǎn)投資布局的賽道。
集成電路制造正盛，IMP國(guó)產(chǎn)化大有可為
在同期的IC制造產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)際論壇上，思銳智能副總經(jīng)理陳祥龍表示：“離子注入設(shè)備正在賦能新一代邏輯，存儲(chǔ)，圖像傳感器，功率半導(dǎo)體等熱門應(yīng)用領(lǐng)域均可利用離子注入機(jī)以提升器件性能或產(chǎn)能。新興應(yīng)用推動(dòng)了離子注入技術(shù)創(chuàng)新，以消費(fèi)市場(chǎng)為例，智能手機(jī)對(duì)于相機(jī)像素的要求越來(lái)越高，圖像傳感器（CIS）需要制備更高深寬比的深層光電二極管。此時(shí)，離子注入的能量將達(dá)到8MeV、最高甚至超過(guò)10MeV，高能離子注入機(jī)成為不可替代的選擇。同時(shí)，先進(jìn)制程的發(fā)展也進(jìn)一步推動(dòng)了低能大束流機(jī)的應(yīng)用。思銳智能布局了“高能離子注入機(jī) + 大束流離子注入機(jī)”的系列產(chǎn)品組合，以應(yīng)對(duì)更多應(yīng)用挑戰(zhàn)?！?/span>
自2021年以來(lái)，思銳智能組建核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)，開啟離子注入設(shè)備研發(fā)攻關(guān)，2023年首臺(tái)高能離子注入機(jī)取得技術(shù)突破并獲得國(guó)內(nèi)頭部客戶訂單，同步持續(xù)完善業(yè)務(wù)布局。思銳智能高能離子注入機(jī)具備射頻傳輸效率高、能量分辨率高的優(yōu)勢(shì)，其關(guān)鍵特性包括射頻段傳輸效率達(dá)到30%-50%的水平；能量分辨率高達(dá)±1%，小于業(yè)內(nèi)的±2.5%水平等，在關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化方面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)領(lǐng)先。
進(jìn)入2024年，AI及其驅(qū)動(dòng)的新智能應(yīng)用、AI PC和AI手機(jī)、新能源汽車及工業(yè)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)面臨新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。集成電路是AI技術(shù)發(fā)展的核心，而裝備則是集成電路芯片技術(shù)創(chuàng)新的基石。思銳智能愿與合作伙伴攜手，賦能半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng)行業(yè)技術(shù)的創(chuàng)新與進(jìn)步。
