瞻芯研發(fā)的緊湊型SiC柵極驅(qū)動(dòng)IVCR1412實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，集成負(fù)壓和米勒效應(yīng)抑制功能
近期，上海瞻芯電子科技有限公司的比鄰驅(qū)動(dòng)?（NextDrive?）芯片IVCR1412正式量產(chǎn)，這是業(yè)界第一款集成負(fù)壓和米勒效應(yīng)抑制功能，且為極緊湊SOT23-6封裝的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可為SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供簡(jiǎn)便、緊湊且可靠的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。
IVCR1412驅(qū)動(dòng)芯片的輸出是一個(gè)準(zhǔn)電流源，從而免除了所有柵極電阻，又能貼近功率管安裝，可最大限度地減小了柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路雜散電感，動(dòng)態(tài)均流效果提升明顯。該驅(qū)動(dòng)芯片集成了一個(gè)負(fù)壓電荷泵，可以以提供-2V的關(guān)斷電壓。如果不需要-2V的關(guān)斷電壓，直接使用OUT輸出即可。由于柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路上沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)下拉輸出可實(shí)現(xiàn)有源米勒效應(yīng)抑制功能，從而可靠地關(guān)斷MOSFET。該驅(qū)動(dòng)芯片也適用于硅MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)。在關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片的輸出首先以4A電流下拉80ns，然后以3 Ω的下拉電阻使輸出保持低電平，從而為柵極環(huán)路振蕩提供必要的阻尼。該驅(qū)動(dòng)芯片還具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電流大小的編程引腳，可調(diào)節(jié)開(kāi)通時(shí)上拉的峰值電流大小，用于 MOSFET 的導(dǎo)通速度調(diào)節(jié)，便于優(yōu)化SiC MOSFET的開(kāi)通速度與系統(tǒng)噪聲。IVCR1412是一款高速驅(qū)動(dòng)芯片，器件之間延時(shí)失配最大值為3 ns。它非常適合并聯(lián) MOSFET的一對(duì)一驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)良好的動(dòng)態(tài)均流。主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和通信設(shè)備的整流器、EV/HEV逆變器及DC/DC轉(zhuǎn)換器、光伏升壓及逆變、UPS等領(lǐng)域。歡迎感興趣的客戶(hù)伙伴來(lái)咨詢(xún)了解更多信息，并可申領(lǐng)樣品。l 高達(dá)2A的峰值拉電流和4 A的峰值灌電流l VDD 欠壓保護(hù)，4.5V到25V推薦工作電壓l 集成-2V電壓輸出（默認(rèn)），或者0V輸出選項(xiàng)上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。瞻芯電子齊集了海內(nèi)外一支經(jīng)驗(yàn)豐富的高素質(zhì)核心團(tuán)隊(duì)，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子是中國(guó)第一家自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，致力于打造中國(guó)領(lǐng)先、國(guó)際一流的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。
