瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證證書，而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測試，正式開啟量產(chǎn)交付。
產(chǎn)品特性
瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。同時，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強(qiáng)魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測試、浪涌測試中等評估中表現(xiàn)優(yōu)良。
Eon/Eoff測試條件為VDS=800V IDS=30A
在25℃調(diào)整Rg_on和Rg_off，使dV/dt和di/dt達(dá)到目標(biāo)值；175℃下Rg不變
反向恢復(fù)測試條件為VDS=800V IDS=30A 在25℃調(diào)整Rg使di/dt達(dá)到目標(biāo)值；175℃下Rg不變
IV2Q12040T4Z的可靠性與魯棒性也表現(xiàn)不俗，能通過嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加嚴(yán)項目)。
IV2Q12040T4Z采用T0247-4封裝，具備開爾文源極引腳，能減小主回路對驅(qū)動信號的影響，因此更適合高功率、高頻率、高效率的應(yīng)用場景。
典型應(yīng)用
1. 電機(jī)驅(qū)動
2. 光伏逆變器、儲能
3. 車載直流變換器(DC-DC)
4. 車載空壓機(jī)驅(qū)動
5. 開關(guān)電源
6. 充電樁
7. 特種工業(yè)電源
