青島四方思銳智能技術有限公司（以下簡稱“思銳智能”)與全球領先的GaN IDM廠商英諾賽科科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”)簽訂了一項新的ALD設備采購協(xié)議。根據該協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應用于氮化鎵半導體晶圓制造前道工藝的Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備，支持其8英寸硅基氮化鎵晶圓產線的擴充。
GaN、SiC等第三代半導體功率器件是實現(xiàn)電力更高轉換效率的關鍵。研究機構Yole Développement 預測，到2027年GaN功率器件的市場規(guī)模有望達到20億美元。與此同時，隨著消費電子、數(shù)據中心、移動出行、工業(yè)互聯(lián)網、新能源等領域對氮化鎵半導體產品不斷增長的需求，推動了新興半導體材料氮化鎵的性能升級，并邁入快速發(fā)展時期。
作為一種通用型技術，ALD鍍膜工藝對于氮化鎵功率器件的性能提升有著顯著的增益，例如ALD薄膜可用于高質量的柵極介電疊層，有助于提升器件擊穿電壓、漏電抑制和阻水疏氧效果。Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備，是思銳智能擁有近40年ALD技術積累的集大成者，支持配置多個ALD工藝模塊，兼容熱法及等離子體功能，可為應對不斷增長的產能和新的應用而進行升級，目前已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復訂單。
英諾賽科是全球領先的GaN IDM廠商，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與制造，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產能力，產品設計及性能處于國際先進水平，其高、低壓全功率氮化鎵芯片的累計出貨量已經超過2.5億顆，廣泛應用于消費電子、服務器電源、汽車電子及新能源等前沿領域。
思銳智能非常期待與英諾賽科攜手，共同促進氮化鎵產業(yè)、中國“雙碳”目標以及可持續(xù)發(fā)展。思銳智能也在加速更多領域的產品研發(fā)與市場驗證，積極布局其他前道裝備業(yè)務，為客戶提供更多價值，致力成為全球半導體產業(yè)發(fā)展的中堅力量。
